Solidigm ar plănui prima sa fabrică NAND în Statele Unite

Filiala SK hynix, Solidigm, ar plănui să deschidă prima sa fabrică de producție NAND Flash în Statele Unite. Pentru a face față provocărilor lanțului global de aprovizionare, SK hynix explorează modalități de extindere a capacităților sale de producție la nivel mondial și de creare a unei operațiuni mai reziliente în fața evenimentelor geopolitice. În prezent, Solidigm operează în Statele Unite, unde are sediul central și un centru de cercetare și dezvoltare (R&D), în timp ce întreaga producție este realizată în afara țării. Atunci când SK hynix a achiziționat în 2021 divizia de producție NAND Flash a Intel și a înființat brandul Solidigm, compania a continuat producția în China fără să își extindă operațiunile de producție în alte țări.

În prezent, Solidigm operează Fab 1 în Dalian, China, și a accelerat construcția Fab 2 în apropiere. Această extindere are ca obiectiv creșterea producției cu 50% până în 2027, pentru a răspunde cererii tot mai mari de NAND Flash. Solidigm deține și operează această fabrică, marcând reluarea extinderii în China continentală după o înghețare a proiectului care a durat patru ani.

În prezent, Solidigm produce aproximativ 100.000 de plăci de siliciu (wafere) de NAND Flash pe lună, astfel încât o creștere cu 50% până în 2027 ar duce producția la aproximativ 150.000 de wafere pe lună. Solidigm va începe, de asemenea, producția de NAND Flash 3D QLC cu floating gate, care va avea peste 200 de straturi active de stocare pentru fiecare cip. Această evoluție va permite realizarea unor SSD-uri de mai mulți terabytes destinate utilizării în mediul enterprise, care reprezintă în prezent principala piață pentru aceste soluții. Deși memoria NAND Flash QLC este mai lentă decât varianta TLC utilizată în mod obișnuit și are o rezistență mai redusă la scrieri, sarcinile de lucru bazate pe inteligență artificială necesită tot mai multă capacitate la densități mai mari.

About The Author

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *