Micron dezvoltă memorie DDR5 RDIMM de 512 GB pentru servere, atingând 9.200 MT/s

Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) a anunțat astăzi o etapă majoră în domeniul inovației în materie de memorie, prin demonstrarea cu succes a primului modul DDR5 de 512 GB din lume pe mai multe platforme de servere. Această realizare consolidează poziția Micron în domeniul memoriei pentru servere de înaltă performanță și capacitate ridicată și oferă clienților din centrele de date enterprise și din cloud o modalitate de a susține mai eficient sarcini de lucru de mari dimensiuni și solicitante, precum cele bazate pe inteligență artificială, analize de date, baze de date în memorie și simulări intensive. Principalii furnizori de tehnologii pentru semiconductori, AMD și Intel, validează în prezent în mod activ modulul, care va oferi viteze de până la 9.200 MT/s.

Capacitatea ridicată a modulului este posibilă datorită inovațiilor avansate ale Micron în domeniul tehnologiilor de interconectare verticală și de packaging. Acest produs stivuiește vertical cipurile DRAM, interconectate prin intermediul unor conexiuni TSV (through-silicon vias), pentru a maximiza densitatea în interiorul fiecărui pachet DRAM, menținând în același timp nivelul de performanță necesar arhitecturilor moderne de centre de date. Modulul permite atingerea unei capacități de până la 12 TB de memorie DDR5 DRAM într-un singur server cu două socket-uri și 24 de sloturi.

imagine (imagine)

Raj Narasimhan, vicepreședinte senior și director general al Cloud Memory Business Unit din cadrul Micron: „Micron continuă să stabilească ritmul în domeniul tehnologiei memoriilor, oferind o nouă categorie de memorii pentru servere, ultra-dense și de înaltă performanță, care îi ajută pe clienți să păstreze seturi de date mai mari mai aproape de motoarele de calcul care au nevoie de acestea. Un RDIMM de 512 GB permite construirea unor servere cu capacități de ordinul mai multor terabytes, susținând sarcini de lucru AI și baze de date mai mari, o densitate mai ridicată a virtualizării și o eficiență energetică îmbunătățită, toate acestea în cadrul infrastructurilor de servere existente.”

Validarea partenerilor din ecosistem

Micron colaborează îndeaproape cu principalii furnizori de tehnologii din ecosistem pentru a valida memoria DDR5 RDIMM de 512 GB pe platformele de servere de generație următoare, asigurând o compatibilitate extinsă și o cale simplificată către implementare.

Amit Goel, vicepreședinte corporativ, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD: „Soluțiile AMD continuă să ducă mai departe performanța, scalabilitatea și eficiența centrelor de date, pe măsură ce sarcinile de lucru bazate pe AI și pe volume mari de date transformă cerințele infrastructurii. Colaborarea noastră strânsă la nivel de inginerie cu Micron reunește inovațiile din domeniul procesoarelor și al memoriei pentru a-i ajuta pe clienți să valorifice pe deplin platformele bazate pe AMD. Împreună, permitem dezvoltarea unei infrastructuri echilibrate și de înaltă performanță, adaptată creșterii în volum și complexitate a sarcinilor de lucru moderne.”

Karin Eibschitz Segal, director general pentru platforme și ingineria sistemelor în cadrul Intel Data Center Group: „Creșterea sarcinilor de lucru AI și a altor aplicații care utilizează cantități mari de date impune noi cerințe infrastructurii de servere, ceea ce face ca atât capacitatea memoriei, cât și lățimea de bandă să devină din ce în ce mai importante pentru performanța generală a sistemului. Intel colaborează îndeaproape cu Micron pentru validarea memoriei DDR5 RDIMM de 512 GB și pentru a contribui la dezvoltarea viitoarelor platforme de servere concepute pentru a răspunde cerințelor în creștere ale sarcinilor de lucru din centrele de date de generație următoare.”

Răspunsul la cerințele de memorie ale sarcinilor de lucru intensive în date

Răspândirea rapidă a modelelor lingvistice de mari dimensiuni (LLM), a inteligenței artificiale agentice, a inferenței în timp real și a sarcinilor de lucru bazate pe procesoare cu un număr mare de nuclee stimulează cererea pentru o capacitate mai mare a memoriei serverelor, o lățime de bandă mai ridicată și o eficiență energetică îmbunătățită. Modulele Micron RDIMM de 512 GB răspund acestor cerințe permițând menținerea unor seturi de date mai mari în memoria principală, reducând dependența de nivelurile de stocare mai lente și minimizând transferurile costisitoare de date. Noul RDIMM de 512 GB îmbunătățește, de asemenea, eficiența, reducând consumul de energie în timpul funcționării cu peste 60% comparativ cu utilizarea a patru module RDIMM de 128 GB.

Pentru sarcini de lucru limitate de capacitatea memoriei, precum analizele de date bazate pe Spark Support Vector Machines (SVM), modulele Micron RDIMM de 512 GB pot oferi o performanță de până la 1,4 ori mai mare comparativ cu configurațiile DDR5 de 256 GB. Modulul de 512 GB oferă, de asemenea, avantaje semnificative pentru bazele de date și platformele de caching care necesită cantități mari de memorie, inclusiv RocksDB și Redis, îmbunătățind debitul de procesare, crescând nivelul de concurență și contribuind la scalarea mai eficientă a seturilor de date.

Ce spune industria despre această soluție de memorie a viitorului

Darrin Alves, director de informații pentru Infrastructure Platforms în cadrul JPMorganChase: „Pe măsură ce sarcinile de lucru din centrele de date continuă să crească, ne concentrăm din ce în ce mai mult asupra modului în care putem optimiza echilibrul dintre procesare, memorie și eficiență la nivelul întregii infrastructuri. Tehnologiile de memorie cu o capacitate mai mare, precum modulele Micron RDIMM de 512 GB, vor ajuta companiile să susțină sarcini de lucru mai mari în memorie, să îmbunătățească utilizarea resurselor și să ofere flexibilitatea necesară pentru extinderea mediilor moderne de calcul.”

Micron se așteaptă ca modulele RDIMM de 512 GB să intre în producție de volum în a doua jumătate a anului 2027, în funcție de cerințele clienților.

About The Author

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *