Kioxia anunță un SSD bazat pe QLC, în format E1.L, conceput pentru centre de date hyperscale
Kioxia America, Inc. a prezentat primul său SSD în format E1.L construit cu memorie flash QLC Kioxia BiCS FLASH de generația a 8-a. Conceput pentru servere de înaltă densitate în format 1U și aplicații de stocare cu operațiuni predominant de citire, noua serie Kioxia LD4 vizează sarcinile de lucru specifice centrelor de date hyperscale și mediilor cu arhitectură scale-out.
Pe măsură ce cerințele privind datele continuă să crească, centrele de date hyperscale măresc în continuare capacitatea de stocare a sistemelor lor cu cea mai mare densitate. Seria Kioxia LD4 aduce memoria flash QLC de mare capacitate în formatul E1.L, pentru aplicații cu operațiuni predominant de citire din aceste medii.
Neville Ichhaporia, vicepreședinte senior și director general al diviziei SSD din cadrul Kioxia America, Inc.:
„Creșterea continuă a sarcinilor de lucru intensive în utilizarea datelor stimulează cererea pentru soluții de stocare cu o capacitate mai mare în centrele de date hyperscale. Memoria flash QLC este deosebit de atractivă pentru aplicațiile axate pe citire, unde capacitatea ridicată și performanța excelentă la citire permit satisfacerea cerințelor vaste de stocare a datelor generate de sarcinile de lucru actuale bazate pe inteligență artificială.”
Principalele caracteristici ale seriei Kioxia LD4 includ:
- Compatibilitate cu PCIe 5.0 (Gen 4 x4)¹ și respectarea specificației NVMe 2.0e
- Compatibilitate cu specificația OCP Datacenter NVMe SSD 2.6
- Design cu un singur port, destinat serverelor hyperscale și celor din centrele de date
- Disponibilă în prezent în variante cu capacități de 15,36 TB² și 30,72 TB, arhitectura validată permițând atingerea unor capacități de până la 122,88 TB
- Construită cu memorie flash QLC Kioxia BiCS FLASH de generația a 8-a
Unitățile din seria Kioxia LD4 sunt în prezent furnizate pentru testare unui grup select de clienți și vor fi prezentate la OCP Global Summit 2026, care se desfășoară în perioada 12–15 octombrie, în San Jose, California.
About The Author
