Samsung HBM4E trece testele pentru GPU-ul „Rubin Ultra” de la NVIDIA
Memoria HBM4E de nouă generație a companiei Samsung ar fi trecut testele pentru familia de acceleratoare GPU AI „Rubin Ultra” de nouă generație de la NVIDIA. Aceasta este o veste excelentă pentru companie, deoarece memoria sa HBM3E anterioară nu a îndeplinit cerințele NVIDIA, ceea ce a determinat NVIDIA să aleagă Samsung doar pentru GDDR7, în locul HBM3E. Noua generație HBM aduce progrese semnificative, iar Samsung se numără printre principalii producători, cu designuri care funcționează în prezent la 14 Gbps per pin și 2.048 de pini per stack HBM4E. Samsung poate atinge o lățime de bandă maximă de 3,6 TB/s, iar la 16 Gbps, această lățime de bandă maximă a memoriei va crește la 4 TB/s pentru un singur stack HBM4E.
Cu aproximativ o duzină de stack-uri de memorie pentru fiecare accelerator AI sau GPU, lățimea de bandă totală a memoriei va fi remarcabilă. Compania oferă în prezent această memorie într-o configurație cu 12 straturi (sau 12-high), cu o densitate de memorie de 48 GB per stack. Cu toate acestea, cerințele clienților vor include în viitor și stack-uri cu 8 straturi, de 32 GB, precum și stack-uri cu 16 straturi, de 64 GB.
Pentru fabricarea acestei memorii HBM4E, Samsung trimite mostre încă din luna mai a acestui an, iar producția în volum total este estimată la aproximativ 20.000 de waferi pe lună în 2026, dublându-se la 50.000 de waferi pe lună în 2027. Pentru fabricarea base die-urilor, compania ar fi alocat jumătate din producția nodului său de 4 nm SF4 pentru fabricarea base die-urilor HBM4E. Acest lucru indică un interes ridicat din partea clienților pentru tehnologii precum NVHBM, ceea ce sugerează că am putea vedea designuri mai personalizate decât până acum.
About The Author
